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napson電阻測(cè)量?jī)x 電阻計(jì) 熱電阻 電阻率NC-80MAP的介紹多種非接觸式探頭的寬量程電阻測(cè)量?jī)x（可根據(jù)要求更改探頭數(shù)量和探頭類(lèi)型）可從 8mm 邊緣進(jìn)行多點(diǎn)測(cè)量非接觸式渦流法可實(shí)現(xiàn)無(wú)損傷測(cè)量測(cè)量模式可編程和 2-D/3-D 映射軟件*選項(xiàng)：額外安裝晶圓厚度測(cè)量探頭
產(chǎn)品型號(hào)：NC-80MAP廠商性質(zhì)：經(jīng)銷(xiāo)商更新時(shí)間：2023-04-15訪 問(wèn) 量：946
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napson電阻測(cè)量?jī)x 電阻計(jì) 熱電阻 電阻率NC-80MAP的介紹
napson電阻測(cè)量?jī)x 電阻計(jì) 熱電阻 電阻率NC-80MAP的介紹
多種非接觸式探頭的寬量程電阻測(cè)量?jī)x
（可根據(jù)要求更改探頭數(shù)量和探頭類(lèi)型）
可從 8mm 邊緣進(jìn)行多點(diǎn)測(cè)量
非接觸式渦流法可實(shí)現(xiàn)無(wú)損傷測(cè)量
測(cè)量模式可編程和 2-D/3-D 映射軟件
*選項(xiàng)：額外安裝晶圓厚度測(cè)量探頭
半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池材料（硅、多晶硅、SiC等）
新材料/功能材料（碳納米管、DLC、石墨烯、銀納米線等）
導(dǎo)電薄膜（金屬、ITO等）
硅基外延、 ion Injection sample
化合物半導(dǎo)體相關(guān)（GaAs Epi、GaN Epi、InP、Ga等）
其他（*請(qǐng)聯(lián)系我們）
2 至 8 英寸
（可選；12 英寸）
[電阻率] 1m 至 200 Ω?cm
（*所有探頭類(lèi)型的總范圍/當(dāng)厚度為 500um 時(shí)）
[薄層電阻] 10m 至 3k Ω/sq
（*所有探頭類(lèi)型的總范圍）
*請(qǐng)參閱以下各探頭類(lèi)型的測(cè)量范圍。
(1) 低：0.01 ～ 0.5Ω/□ (0.001 ～ 0.05Ω-cm)
(2) 中： 0.5 ～ 10Ω/□ (0.05 ～ 0.5Ω-cm)
(3) 高：10 ～ 1000Ω/square (0.5 ～ 60Ω-cm)
(4) S-High : 1000 to 3000Ω/square (60 to 200Ω-cm)
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